几十年来，封装半导体集成电路的标准方法一直是一种过程，其中从晶片上切下单个单元然后进行封装。但是，这种方法未被主要的半导体制造商认可，这主要是由于制造成本高和当今模块的RF组件不断增加。因此，晶圆级封装（WLP）的出现带来了低成本封装开发的范式转变。 WLP是在切割晶圆封装设备之前的晶圆级封装技术。使用标准工具和工艺，WLP可作为晶圆制造工艺的扩展。最后，制造的WLPdie将在芯片表面上具有金属化的焊盘，并在切割晶片之前在每个焊盘上沉积焊点。反过来，这使得WLP与传统的PCB组装工艺兼容，并允许在晶圆本身上进行设备测试。因此，这是相对较低的成本和有效的过程，尤其是当晶片尺寸增大且管芯缩小时。在过去的几十年中，晶片的尺寸一直在增加，从直径的4、6、8英寸增加到12英寸。这导致每个晶片的管芯数量的增加，从而降低了制造成本。在电气性能方面，WLP优于其他封装技术。从某种意义上说，一旦将WLP器件集成到密集的RF模块中，它将大大减少EM寄生耦合，因为该器件与PCB之间的互连相对较短，这与某些类型中使用的引线键合互连不同CSP技术。 WLP倒装芯片技术倒装芯片技术也称为受控折叠芯片连接（C4，受控折叠芯片连接），是IBM在1960年代开发的芯片组装技术之一。尽管基于引线键合的封装技术在硬件完成后为实验室调试提供了自由电感，但它更灵活并且还具有良好的导热特性，但采用倒装芯片封装技术时，会使用焊料凸点来制造基板和芯片它们之间的电气连接可减小尺寸，减少延迟，并在输入和输出引脚方面实现更好的隔离。图1说明了基板上芯片小片的基本结构。在芯片表面生长的Cu柱顶部有焊锡球。焊点通常由填充模塑料封装，以为焊点提供机械支撑。图1.倒装芯片的基本结构示例。 WLP芯片级封装芯片级封装CSP（芯片级封装）是微电子和半导体行业中最常用的封装方法之一。尽管微芯片制造商可以使用多种类型的CSP技术，但新类型仍在不断涌现，以满足对支持新功能和新特定应用的产品的需求。这些包装要求可能会有所不同，具体取决于所需的可靠性，成本，其他功能和整体尺寸。顾名思义，CSP的封装尺寸与芯片的裸片尺寸大致相同，这是其主要优势之一。通过采用WLP制造工艺，CSP不断发展以实现最小的封装裸片尺寸比。如图2所示，封装下CSP的球栅阵列（BGA）样式允许多个互连，同时简化了PCB布线，提高了PCB组装良率并降低了制造成本。图2.芯片级封装CSP（chipscalepackaging）的基本结构示例其他封装技术还有其他几种集成电路封装形式，可以无缝集成到应用程序定制的模块封装中。 Quadflat封装（QFP，Quadflatpackage）是最早的表面贴装IC封装技术之一。封装的结构由具有扩展互连引线的四个侧面组成，如图3（a）所示。凸起的引线连接到封装框架，并且在引线和芯片的裸片金属之间形成金属-绝缘体-金属（MIM，金属-绝缘体-金属）电容器，该电容器可用作匹配元件。这项技术适用于毫米大小的IC，其中封装的外围引脚数可以达到100多个引脚。此类包装有多种衍生产品，具体取决于所使用的材料，例如陶瓷四方扁平包装（CQFP，ceramicquadflatpack），薄四方扁平包装（TQFP，thinquadflatpack），塑料四方扁平包装（PQFP，plasticquadflatpack）和金属四方扁平包装（MQFP，metalquadflatpack）。图3（b）中所示的Quadflatnolead（QFN，Quadflatnolead）是由平面铜引线框架和用作散热器散热垫的塑料封装形成的几种表面安装封装技术之一。也可以使用引线键合